積體電路
    4.
    发明专利
    積體電路 审中-公开
    集成电路

    公开(公告)号:TW201919230A

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:TW107111533

    申请日:2018-03-31

    Abstract: 一種積體電路包含一半導體基底、一隔離區、一第一主動元件以及至少一深溝槽隔離結構。隔離區係位於半導體基底中。第一主動元件係位於半導體基底上。深溝槽隔離結構從隔離區的一底部朝向半導體基底之一底部延伸。深溝槽隔離結構具有至少一氣隙於其中。

    Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路包含一半导体基底、一隔离区、一第一主动组件以及至少一深沟槽隔离结构。隔离区系位于半导体基底中。第一主动组件系位于半导体基底上。深沟槽隔离结构从隔离区的一底部朝向半导体基底之一底部延伸。深沟槽隔离结构具有至少一气隙于其中。

    半導體晶圓
    5.
    发明专利
    半導體晶圓 审中-公开
    半导体晶圆

    公开(公告)号:TW201919097A

    公开(公告)日:2019-05-16

    申请号:TW107140459

    申请日:2018-11-14

    Abstract: 提供了一種半導體晶圓和一種半導體晶圓製造方法。該晶圓包括支撐基材、半導體基材和接觸層。支撐基材具有第一表面和與第一表面相對的第二表面。半導體基材設置在支撐基材的第一表面上,其中半導體基材係配置以形成複數個元件。接觸層設置在支撐基材的第二表面上以接觸支撐基材,其中接觸層係配置以接觸靜電吸盤,且接觸層的電阻率小於支撐基材的電阻率。在半導體晶圓製造方法中,首先提供原始晶圓。隨後,藉由使用植入操作或沉積操作形成接觸層。

    Abstract in simplified Chinese: 提供了一种半导体晶圆和一种半导体晶圆制造方法。该晶圆包括支撑基材、半导体基材和接触层。支撑基材具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体基材设置在支撑基材的第一表面上,其中半导体基材系配置以形成复数个组件。接触层设置在支撑基材的第二表面上以接触支撑基材,其中接触层系配置以接触静电吸盘,且接触层的电阻率小于支撑基材的电阻率。在半导体晶圆制造方法中,首先提供原始晶圆。随后,借由使用植入操作或沉积操作形成接触层。

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