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公开(公告)号：TWI701838B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：TW107139303
申请日：2018-11-06
Inventor： 高境鴻 , KAO, CHING HUNG
IPC: H01L29/772 , H01L29/36
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公开(公告)号：TWI688134B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW107129119
申请日：2018-08-21
Inventor： 許真吟 , HSU, CHEN YIN , 吳春立 , WU, CHUN LI , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG
IPC: H01L49/02
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公开(公告)号：TW201735259A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105139980
申请日：2016-12-02
Inventor： 李國弘 , LEE, KUO HUNG , 李智飛 , LEE, CHIH FEI , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG
IPC: H01L21/78 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L49/02
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/78 , H01L23/5223 , H01L23/528 , H01L28/40 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2223/5446
Abstract: 本揭露提供一種製造半導體結構的方法，包含：形成對準記號層於基板上；圖案化對準記號層來形成至少一對準記號特徵；以實質上共形的方式形成下導電層於圖案化的對準記號層上；形成絕緣層於下導電層上；以及形成上導電層於絕緣層上。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种制造半导体结构的方法，包含：形成对准记号层于基板上；图案化对准记号层来形成至少一对准记号特征；以实质上共形的方式形成下导电层于图案化的对准记号层上；形成绝缘层于下导电层上；以及形成上导电层于绝缘层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201919230A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107111533
申请日：2018-03-31
Inventor： 顏于華 , YEN, YU HUA , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG , 王柏仁 , WANG, PO JEN , 蔡宗翰 , TSAI, TSUNG HAN
IPC: H01L29/06
Abstract: 一種積體電路包含一半導體基底、一隔離區、一第一主動元件以及至少一深溝槽隔離結構。隔離區係位於半導體基底中。第一主動元件係位於半導體基底上。深溝槽隔離結構從隔離區的一底部朝向半導體基底之一底部延伸。深溝槽隔離結構具有至少一氣隙於其中。
Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路包含一半导体基底、一隔离区、一第一主动组件以及至少一深沟槽隔离结构。隔离区系位于半导体基底中。第一主动组件系位于半导体基底上。深沟槽隔离结构从隔离区的一底部朝向半导体基底之一底部延伸。深沟槽隔离结构具有至少一气隙于其中。
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公开(公告)号：TW201919097A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107140459
申请日：2018-11-14
Inventor： 許耀文 , HSU, YAO WEN , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG , 王柏仁 , WANG, PO JEN , 蔡宗翰 , TSAI, TSUNG HAN
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H02N13/00
Abstract: 提供了一種半導體晶圓和一種半導體晶圓製造方法。該晶圓包括支撐基材、半導體基材和接觸層。支撐基材具有第一表面和與第一表面相對的第二表面。半導體基材設置在支撐基材的第一表面上，其中半導體基材係配置以形成複數個元件。接觸層設置在支撐基材的第二表面上以接觸支撐基材，其中接觸層係配置以接觸靜電吸盤，且接觸層的電阻率小於支撐基材的電阻率。在半導體晶圓製造方法中，首先提供原始晶圓。隨後，藉由使用植入操作或沉積操作形成接觸層。
Abstract in simplified Chinese: 提供了一种半导体晶圆和一种半导体晶圆制造方法。该晶圆包括支撑基材、半导体基材和接触层。支撑基材具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。半导体基材设置在支撑基材的第一表面上，其中半导体基材系配置以形成复数个组件。接触层设置在支撑基材的第二表面上以接触支撑基材，其中接触层系配置以接触静电吸盘，且接触层的电阻率小于支撑基材的电阻率。在半导体晶圆制造方法中，首先提供原始晶圆。随后，借由使用植入操作或沉积操作形成接触层。
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公开(公告)号：TWI628746B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105139980
申请日：2016-12-02
Inventor： 李國弘 , LEE, KUO HUNG , 李智飛 , LEE, CHIH FEI , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG
IPC: H01L21/78 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/544 , H01L49/02
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公开(公告)号：TWI671854B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW106135470
申请日：2017-10-17
Inventor： 蔡宗翰 , TSAI, TSUNG HAN , 王柏仁 , WANG, PO JEN , 吳春立 , WU, CHUN LI , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG
IPC: H01L21/76 , H01L21/30 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201824548A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106127977
申请日：2017-08-17
Inventor： 魏嘉余 , WEI, CHIA YU , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG , 鄭枷彬 , CHENG, CHIA PIN , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 黃薰瑩 , HUANG, HSUN YING , 林彥良 , LIN, YEN LIANG
IPC: H01L29/41
Abstract: 一種閘極結構包含閘極以及具有頂表面和底表面之第一隔離結構。閘極包含鄰近第一隔離結構的第一側壁、第二側壁、鄰近第一側壁之底部邊緣和第二側壁之底部邊緣的第一水平面。第一水平面位於第一隔離結構之頂表面與第一隔離結構之底表面之間。閘極亦包含鄰近第二側壁之頂部邊緣的第二水平面。由閘極結構界定出的有效通道寬度包含第二側壁之高度和第二水平面之寬度。
Abstract in simplified Chinese: 一种闸极结构包含闸极以及具有顶表面和底表面之第一隔离结构。闸极包含邻近第一隔离结构的第一侧壁、第二侧壁、邻近第一侧壁之底部边缘和第二侧壁之底部边缘的第一水平面。第一水平面位于第一隔离结构之顶表面与第一隔离结构之底表面之间。闸极亦包含邻近第二侧壁之顶部边缘的第二水平面。由闸极结构界定出的有效信道宽度包含第二侧壁之高度和第二水平面之宽度。
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