- 专利标题： Etching reactants and plasma-free etching processes using the same
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申请号： US15774892申请日： 2016-09-01
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公开(公告)号： US10648087B2公开(公告)日： 2020-05-12
- 发明人: Clément Lansalot-Matras , Jooho Lee , Jean-Marc Girard , Nicolas Blasco , Satoko Gatineau
- 申请人： L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude , Clément Lansalot-Matras , Jooho Lee , Jean-Marc Girard , Nicolas Blasco , Satoko Gatineau
- 申请人地址： FR Paris
- 专利权人： L'Air Liquide, SociétéAnonyme pour l'Exploitation et l'Etude des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人： L'Air Liquide, SociétéAnonyme pour l'Exploitation et l'Etude des Procédés Georges Claude
- 当前专利权人地址： FR Paris
- 代理商 Yan Jiang; Patricia E. McQueeney
- 国际申请： PCT/US2016/049857 WO 20160901
- 国际公布： WO2016/172740 WO 20161027
- 主分类号： C23F1/12
- IPC分类号： C23F1/12 ; H01L21/311 ; H01L21/3213 ; H01L21/67 ; C23C8/80 ; H01L21/02 ; B08B9/08
摘要：
Disclosed are processes of removing layers from substrates using fluorinated reactants having the formula MFx(adduct)n, wherein x ranges from 2 to 6 inclusive; n ranges from 0 to 5 inclusive; M is selected from the group consisting of P, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Mo, and W; and the adduct is a neutral organic molecule selected from THF, dimethylether, diethylether, glyme, diglyme, triglyme, polyglyme, dimethylsulphide, diethylsulphide, or methylcyanide. The fluorinated reactants dry etch the nitride layers without utilizing any plasma.
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