- 专利标题： Memory device with dynamic storage mode control
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申请号： US17196934申请日： 2021-03-09
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公开(公告)号： US11544188B2公开(公告)日： 2023-01-03
- 发明人: Yun Li , Kishore Kumar Muchherla , Peter Feeley , Ashutosh Malshe , Daniel J. Hubbard , Christopher S. Hale , Kevin R. Brandt , Sampath K. Ratnam
- 申请人： Micron Technology, Inc.
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 代理机构： Perkins Coie LLP
- 主分类号： G06F12/00
- IPC分类号： G06F12/00 ; G06F12/02 ; G06F12/0891
摘要：
Memory circuits including dynamically configurable cache cells are disclosed herein. The cache cells may be selectively and dynamically configured to select one or more bits per cell according to a real-time determination or characterization of a workload type.
公开/授权文献
- US20210191858A1 MEMORY DEVICE WITH DYNAMIC STORAGE MODE CONTROL 公开/授权日：2021-06-24
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