发明申请
- 专利标题： Semiconductor device and method
- 专利标题（中）： 半导体器件及方法
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申请号： US10845523申请日： 2004-05-14
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公开(公告)号： US20050023622A1公开(公告)日： 2005-02-03
- 发明人: Kurt Eisenbeiser , Jun Wang , Ravindranath Droopad
- 申请人： Kurt Eisenbeiser , Jun Wang , Ravindranath Droopad
- 申请人地址： US IL Schaumburg
- 专利权人： MOTOROLA
- 当前专利权人： MOTOROLA
- 当前专利权人地址： US IL Schaumburg
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/28 ; H01L29/51 ; H01L29/76 ; H01L21/8238
摘要：
Circuit (10) has a dual layer gate dielectric (29) formed over a semiconductor substrate (14). The gate dielectric includes an amorphous layer (40) and a monocrystalline layer (42). The monocrystalline layer typically has a higher dielectric constant than the amorphous layer.
公开/授权文献
- US07005717B2 Semiconductor device and method 公开/授权日：2006-02-28
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IPC分类:
