发明申请
- 专利标题： Method and apparatus for ionization film formation
- 专利标题（中）： 用于电离膜形成的方法和装置
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申请号： US10940024申请日： 2004-09-14
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公开(公告)号： US20050029090A1公开(公告)日： 2005-02-10
- 发明人: Hirohito Yamaguchi , Masahiro Kanai , Atsushi Koike , Katsunori Oya
- 申请人： Hirohito Yamaguchi , Masahiro Kanai , Atsushi Koike , Katsunori Oya
- 申请人地址： JP TOKYO
- 专利权人： CANON KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人： CANON KABUSHIKI KAISHA
- 当前专利权人地址： JP TOKYO
- 优先权： JP018721/2002 20020128
- 主分类号： C23C14/04
- IPC分类号： C23C14/04 ; C23C14/32 ; C23C14/35 ; G11B11/105
摘要：
A method for ionization film formation to form a deposited film by ionizing vaporized particles with an ionization mechanism of the hot-cathode system and injecting the ionized particles into a substrate is provided. The method includes the step of introducing He gas inside the ionization mechanism.
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