发明申请
- 专利标题： Reactive ion milling / RIE assisted CMP
- 专利标题（中）： 反应离子研磨/ RIE辅助CMP
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申请号： US10792330申请日： 2004-03-02
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公开(公告)号： US20050193550A1公开(公告)日： 2005-09-08
- 发明人: Hung-Chin Guthrie , Ming Jiang , Jerry Lo , Aron Pentek , Yi Zheng
- 申请人： Hung-Chin Guthrie , Ming Jiang , Jerry Lo , Aron Pentek , Yi Zheng
- 专利权人： HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES
- 当前专利权人： HITACHI GLOBAL STORAGE TECHNOLOGIES
- 主分类号： B24B1/00
- IPC分类号： B24B1/00 ; C09K3/14 ; H01L21/00
摘要：
A method for forming a high aspect ratio magnetic structure in a magnetic write head using a combination of chemical mechanical polishing and reactive ion etching.
公开/授权文献
- US07217666B2 Reactive ion milling/RIE assisted CMP 公开/授权日：2007-05-15
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