发明申请
US20060275545A1 Rare earth metal complex material for thin film formation and process of forming thin film
审中-公开
用于薄膜形成的稀土金属复合材料和薄膜形成工艺
- 专利标题： Rare earth metal complex material for thin film formation and process of forming thin film
- 专利标题（中）： 用于薄膜形成的稀土金属复合材料和薄膜形成工艺
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申请号： US10568611申请日： 2004-08-02
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公开(公告)号： US20060275545A1公开(公告)日： 2006-12-07
- 发明人: Atsuya YOSHINAKA , Hiroki Sato , Ryusaku Fujimoto
- 申请人： Atsuya YOSHINAKA , Hiroki Sato , Ryusaku Fujimoto
- 申请人地址： JP Tokyo 116-0012
- 专利权人： Asahi Denka Co., Ltd.
- 当前专利权人： Asahi Denka Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo 116-0012
- 优先权： JP2003-299736 20030825
- 国际申请： PCT/JP04/11043 WO 20040802
- 主分类号： C23C16/00
- IPC分类号： C23C16/00 ; C07F5/00
摘要：
A tris(sec-butylcyclopentadienyl) complex of a rare earth metal represented by general formula (I). The complex is excellent in heat resistance and volatility and is liquid, which is advantageous for use as a thin film forming material. wherein M is a rare earth metal atom.
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