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1.发明申请METAL ALKOXIDE COMPOUND, MATERIAL FOR FORMING THIN FILM,AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM 有权金属烷氧化物化合物，形成薄膜的材料以及生产薄膜的方法公开(公告)号：US20080187662A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：US11854109
申请日：2007-09-12
申请人： Senji Wada , Tetsuji Abe , Atsushi Sakurai , Takashi Higashino , Ryusaku Fujimoto , Masako Shimizu
发明人： Senji Wada , Tetsuji Abe , Atsushi Sakurai , Takashi Higashino , Ryusaku Fujimoto , Masako Shimizu
CPC分类号： C23C16/405 , C07F7/003
摘要： A metal alkoxide compound represented by the following general formula (1), wherein each of R1 to R8 is independently a hydrogen atom or a methyl group; M is a titanium, a zirconium or a hafnium atom.
摘要翻译： 由以下通式（1）表示的金属醇盐化合物，其中R 1至R 8各自独立地为氢原子或甲基; M是钛，锆或铪原子。
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2.发明授权Metal alkoxide compound, material for forming thin film, and method for producing thin film 有权金属醇盐化合物，用于形成薄膜的材料，以及薄膜的制造方法公开(公告)号：US08003814B2
公开(公告)日：2011-08-23
申请号：US11854109
申请日：2007-09-12
申请人： Senji Wada , Tetsuji Abe , Atsushi Sakurai , Takashi Higashino , Ryusaku Fujimoto , Masako Shimizu
发明人： Senji Wada , Tetsuji Abe , Atsushi Sakurai , Takashi Higashino , Ryusaku Fujimoto , Masako Shimizu
CPC分类号： C23C16/405 , C07F7/003
摘要： A metal alkoxide compound represented by the following general formula (1), wherein each of R1 to R8 is independently a hydrogen atom or a methyl group; M is a titanium, a zirconium or a hafnium atom.
摘要翻译： 一种由以下通式（1）表示的金属醇盐化合物，其中R 1至R 8各自独立地为氢原子或甲基; M是钛，锆或铪原子。
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3.发明申请Rare earth metal complex material for thin film formation and process of forming thin film 审中-公开用于薄膜形成的稀土金属复合材料和薄膜形成工艺公开(公告)号：US20060275545A1
公开(公告)日：2006-12-07
申请号：US10568611
申请日：2004-08-02
申请人： Atsuya YOSHINAKA , Hiroki Sato , Ryusaku Fujimoto
发明人： Atsuya YOSHINAKA , Hiroki Sato , Ryusaku Fujimoto
摘要： A tris(sec-butylcyclopentadienyl) complex of a rare earth metal represented by general formula (I). The complex is excellent in heat resistance and volatility and is liquid, which is advantageous for use as a thin film forming material. wherein M is a rare earth metal atom.
摘要翻译： 由通式（I）表示的稀土金属的三（仲丁基环戊二烯基）络合物。 该复合物的耐热性和挥发性优异，为液体，这有利于用作薄膜形成材料。 其中M是稀土金属原子。
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