Method for forming thermal stable silicide using surface plasma treatment

发明申请

US20070232043A1 Method for forming thermal stable silicide using surface plasma treatment 审中-公开

标题翻译：使用表面等离子体处理形成热稳定硅化物的方法

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专利标题： Method for forming thermal stable silicide using surface plasma treatment
专利标题（中）： 使用表面等离子体处理形成热稳定硅化物的方法
申请号： US11395212

申请日： 2006-04-03
公开(公告)号： US20070232043A1

公开(公告)日： 2007-10-04
发明人: Jyh-Huei Chen , Mei-Yun Wang , Tze-Liang Lee
申请人： Jyh-Huei Chen , Mei-Yun Wang , Tze-Liang Lee
专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
主分类号： H01L21/4763
IPC分类号： H01L21/4763

Method for forming thermal stable silicide using surface plasma treatment

摘要：

A method for forming a silicide layer on a substrate. A substrate with a silicon surface is provided. Nitrogen is incorporated into the silicon surface by a plasma treatment, to form a nitridized silicon surface. A metal layer is formed on the nitridized silicon surface. The substrate having the metal layer thereon is annealed to form a silicide layer between the metal layer and the substrate.

摘要（中）：

一种在衬底上形成硅化物层的方法。提供具有硅表面的衬底。通过等离子体处理将氮掺入硅表面，形成氮化硅表面。在氮化硅表面上形成金属层。对其上具有金属层的基板进行退火，以在金属层和基板之间形成硅化物层。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）