发明申请
US20070281476A1 Methods for forming thin copper films and structures formed thereby
审中-公开
用于形成薄铜膜的方法及由此形成的结构
- 专利标题： Methods for forming thin copper films and structures formed thereby
- 专利标题（中）： 用于形成薄铜膜的方法及由此形成的结构
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申请号： US11446339申请日： 2006-06-02
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公开(公告)号： US20070281476A1公开(公告)日： 2007-12-06
- 发明人: Adrien R. Lavoie , Juan E. Dominguez , John J. Plombon , Valery M. Dubin , Harsono S. Simka , Joseph H. Han , Bryan C. Hendrix , Gregory T. Stauf , Jeffrey F. Roeder , Tiannu Chen , Chongying Xu , Thomas H. Baum
- 申请人： Adrien R. Lavoie , Juan E. Dominguez , John J. Plombon , Valery M. Dubin , Harsono S. Simka , Joseph H. Han , Bryan C. Hendrix , Gregory T. Stauf , Jeffrey F. Roeder , Tiannu Chen , Chongying Xu , Thomas H. Baum
- 主分类号： H01L21/44
- IPC分类号： H01L21/44
摘要：
Methods and associated structures of forming a microelectronic structure are described. Those methods may comprise forming a thin conformal copper layer on a surface by utilizing a formation temperature below about 125 degrees Celsius.
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