公开(公告)号：US20070281476A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11446339

申请日：2006-06-02

申请人： Adrien R. Lavoie ,  Juan E. Dominguez ,  John J. Plombon ,  Valery M. Dubin ,  Harsono S. Simka ,  Joseph H. Han ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tiannu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

发明人： Adrien R. Lavoie ,  Juan E. Dominguez ,  John J. Plombon ,  Valery M. Dubin ,  Harsono S. Simka ,  Joseph H. Han ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder ,  Tiannu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L21/28562 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/56

摘要： Methods and associated structures of forming a microelectronic structure are described. Those methods may comprise forming a thin conformal copper layer on a surface by utilizing a formation temperature below about 125 degrees Celsius.

摘要翻译： 描述了形成微电子结构的方法和相关结构。 那些方法可以包括通过利用低于约125摄氏度的地层温度在表面上形成薄的共形铜层。

公开(公告)号：US20080242880A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12058751

申请日：2008-03-30

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Juan E. Dominguez ,  Adrien R. Lavoie ,  Harsono S. Simka

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Juan E. Dominguez ,  Adrien R. Lavoie ,  Harsono S. Simka

IPC分类号： C07F1/08 ,  C09D5/00 ,  C23C16/54

CPC分类号： C07F17/00 ,  C23C16/45553

摘要： Copper precursors useful for depositing copper or copper-containing films on substrates, e.g., microelectronic device substrates or other surfaces. The precursors includes copper compounds of various classes, including copper borohydrides, copper compounds with cyclopentadienyl-type ligands, copper compounds with cyclopentadienyl-type and isocyanide ligands, and stabilized copper hydrides. The precursors can be utilized in solid or liquid forms that are volatilized to form precursor vapor for contacting with the substrate, to form deposited copper by techniques such as chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD) or rapid vapor deposition (digital CVD).

摘要翻译： 用于在基底上沉积铜或含铜膜的铜前体，例如微电子器件衬底或其它表面。 前体包括各种类型的铜化合物，包括硼氢化铜，具有环戊二烯基型配体的铜化合物，具有环戊二烯基型的铜化合物和异氰化物配体，以及稳定的氢化铜。 这些前体可以固体或液体形式使用，以便形成用于与基底接触的前体蒸气，通过诸如化学气相沉积（CVD），原子层沉积（ALD）或快速蒸镀（数字式）技术形成沉积的铜 CVD）。

公开(公告)号：US07964746B2

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US12058751

申请日：2008-03-30

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Juan E. Dominguez ,  Adrien R. Lavoie ,  Harsono S. Simka

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Juan E. Dominguez ,  Adrien R. Lavoie ,  Harsono S. Simka

IPC分类号： C07F1/08 ,  C23C18/40

CPC分类号： C07F17/00 ,  C23C16/45553

摘要： Copper precursors useful for depositing copper or copper-containing films on substrates, e.g., microelectronic device substrates or other surfaces. The precursors includes copper compounds of various classes, including copper borohydrides, copper compounds with cyclopentadienyl-type ligands, copper compounds with cyclopentadienyl-type and isocyanide ligands, and stabilized copper hydrides. The precursors can be utilized in solid or liquid forms that are volatilized to form precursor vapor for contacting with the substrate, to form deposited copper by techniques such as chemical vapor deposition (CVD), atomic layer deposition (ALD) or rapid vapor deposition (digital CVD).

摘要翻译： 用于在基底上沉积铜或含铜膜的铜前体，例如微电子器件衬底或其它表面。 前体包括各种类型的铜化合物，包括硼氢化铜，具有环戊二烯基型配体的铜化合物，具有环戊二烯基型的铜化合物和异氰化物配体，以及稳定的氢化铜。 这些前体可以固体或液体形式使用，以便形成用于与基底接触的前体蒸气，通过诸如化学气相沉积（CVD），原子层沉积（ALD）或快速蒸镀（数字式）技术形成沉积的铜 CVD）。

公开(公告)号：US20090305458A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12307101

申请日：2007-03-12

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06 ,  C07F7/30 ,  C09D5/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US08268665B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US13168979

申请日：2011-06-26

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US08008117B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12860906

申请日：2010-08-22

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20130029456A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13622233

申请日：2012-09-18

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

公开(公告)号：US07838329B2

公开(公告)日：2010-11-23

申请号：US12307101

申请日：2007-05-12

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20090124039A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US12300459

申请日：2007-03-12

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

IPC分类号： H01L51/30 ,  H01L21/06 ,  C07D401/02 ,  C07F7/30 ,  C07F7/08

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350° C. with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.

摘要翻译： 一种用于在基板上形成相变记忆材料的系统和方法，其中在温度低于350℃的条件下，在产生硫属化物合金沉积的条件下，在温度低于350℃的条件下，基板与相变存储器硫族化合物的前体接触， 通过化学气相沉积或原子层沉积进行接触。 描述了各种碲，锗和锗 - 碲前体，其可用于在基底上形成GST相变记忆膜。

公开(公告)号：US08679894B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13610928

申请日：2012-09-12

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350° C., with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.