Methods for forming shallow trench isolation structures in deep trenches and uses of the same

发明申请

US20080032471A1 Methods for forming shallow trench isolation structures in deep trenches and uses of the same 审中-公开

标题翻译：在深沟中形成浅沟槽隔离结构的方法及其用途

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专利标题： Methods for forming shallow trench isolation structures in deep trenches and uses of the same
专利标题（中）： 在深沟中形成浅沟槽隔离结构的方法及其用途
申请号： US11580807

申请日： 2006-10-13
公开(公告)号： US20080032471A1

公开(公告)日： 2008-02-07
发明人: Wen-Shuo Kuo , Chao-Hsi Chung , Yung Yao Lee , Hui-Min Li
申请人： Wen-Shuo Kuo , Chao-Hsi Chung , Yung Yao Lee , Hui-Min Li
申请人地址： TW Hsinchu
专利权人： Promos Technologies Inc.
当前专利权人： Promos Technologies Inc.
当前专利权人地址： TW Hsinchu
优先权： TW095128453 20060803
主分类号： H01L21/8242
IPC分类号： H01L21/8242

Methods for forming shallow trench isolation structures in deep trenches and uses of the same

摘要：

A method for manufacturing a shallow trench isolation structure in a deep trench and application thereof are provided, wherein the deep trench having an upper electrode and an insulation layer on the upper electrode is formed in a substrate which has a pad insulation layer. The method comprises the following steps: forming a hard mask on the first insulation layer, doping a first portion of the hard mask, removing the undoped portion of the hard mask to expose a portion of the first insulation layer and reserve the first portion of the hard mask, removing the exposed portion of the first insulation layer to expose a portion of the upper electrode, and forming a conductive layer on the exposed portion of the upper electrode wherein a predetermined distance exists between the upper surface of the conductive layer and the pad insulation layer.

摘要（中）：

提供一种在深沟槽中制造浅沟槽隔离结构的方法及其应用，其中在具有衬垫绝缘层的衬底中形成具有上电极和上电极上的绝缘层的深沟槽。该方法包括以下步骤：在第一绝缘层上形成硬掩模，掺杂硬掩模的第一部分，去除硬掩模的未掺杂部分以暴露第一绝缘层的一部分并保留第一绝缘层的第一部分去除所述第一绝缘层的暴露部分以暴露所述上电极的一部分，以及在所述上电极的暴露部分上形成导电层，其中在所述导电层的所述上表面和所述焊盘之间存在预定距离绝缘层。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8239	........存储器结构
H01L21/8242	.........动态随机存取存储结构（DRAM）