LATERAL SILICIDED DIODES

发明申请

US20080067623A1 LATERAL SILICIDED DIODES 有权

标题翻译：横向硅胶二极管

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专利标题： LATERAL SILICIDED DIODES
专利标题（中）： 横向硅胶二极管
申请号： US11944839

申请日： 2007-11-26
公开(公告)号： US20080067623A1

公开(公告)日： 2008-03-20
发明人: Douglas Coolbaugh , Jeffrey Johnson , Xuefeng Liu , Bradley Orner , Robert Rassel , David Sheridan
申请人： Douglas Coolbaugh , Jeffrey Johnson , Xuefeng Liu , Bradley Orner , Robert Rassel , David Sheridan
主分类号： H01L29/872
IPC分类号： H01L29/872

摘要：

A structure and method of fabricating lateral diodes. The diodes include Schottky diodes and PIN diodes. The method of fabrication includes forming one or more doped regions and more trenches in a silicon substrate and forming metal silicides on the sidewalls of the trenches. The fabrication of lateral diodes may be integrated with the fabrication of field effect, bipolar and SiGe bipolar transistors.

摘要（中）：

制造横向二极管的结构和方法。二极管包括肖特基二极管和PIN二极管。制造方法包括在硅衬底中形成一个或多个掺杂区域和更多沟槽，并在沟槽的侧壁上形成金属硅化物。横向二极管的制造可以与场效应，双极和SiGe双极晶体管的制造集成。

公开/授权文献

US07381997B2 Lateral silicided diodes 公开/授权日：2008-06-03

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/861	...二极管
H01L29/872	....肖特基二极管