发明申请
- 专利标题： Metal-insulator-metal structure and method of forming the same
- 专利标题（中）： 金属绝缘体金属结构及其形成方法
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申请号： US11586528申请日： 2006-10-26
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公开(公告)号： US20080188055A1公开(公告)日： 2008-08-07
- 发明人: Yu-Jen Wang , Chia-Shiung Tsai , Yeur-Luen Tu , Lan-Lin Chao , Chih-Ta Wu , Hsing-Lien Lin , Chung Chien Wang
- 申请人： Yu-Jen Wang , Chia-Shiung Tsai , Yeur-Luen Tu , Lan-Lin Chao , Chih-Ta Wu , Hsing-Lien Lin , Chung Chien Wang
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02
摘要：
A method of manufacturing a semiconductor device includes forming a metal-insulator-metal (MIM) device having a metal organic chemical vapor deposited (MOCVD) lower electrode and an atomic layer deposited (ALD) upper electrode.
公开/授权文献
- US07851324B2 Method of forming metal-insulator-metal structure 公开/授权日：2010-12-14
信息查询
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