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发明申请
US20080260608A1 Crucible for the Crystallization of Silicon and Process for Making the Same 有权
用于硅结晶的坩埚和制造相同的工艺

  • 专利标题： Crucible for the Crystallization of Silicon and Process for Making the Same
  • 专利标题（中）： 用于硅结晶的坩埚和制造相同的工艺
  • 申请号： US12089147
    申请日： 2006-10-06
  • 公开(公告)号： US20080260608A1
    公开(公告)日： 2008-10-23
  • 发明人: Gilbert Rancoule
  • 申请人： Gilbert Rancoule
  • 申请人地址： US DE Wilmington
  • 专利权人： VESUVIUS CRUCIBLE COMPANY
  • 当前专利权人： VESUVIUS CRUCIBLE COMPANY
  • 当前专利权人地址： US DE Wilmington
  • 优先权： EP05447224.6 20051006
  • 国际申请： PCT/EP2006/009671 WO 20061006
  • 主分类号： B01D9/00
  • IPC分类号： B01D9/00 ;  B05D7/22
Crucible for the Crystallization of Silicon and Process for Making the Same
摘要：
A protective coating is prepared for, and applied to, crucibles used in the handling of molten materials that are solidified in the crucible and then removed as ingots. Crucibles containing this protective coating may be used for the solidification of silicon. The coating has a specified oxygen content and contains a mineral binder and silicon nitride or silicon oxynitride.
摘要（中）：

制备保护涂层，并将其应用于在坩埚中固化的熔融材料的处理中使用的坩埚，然后作为锭移除。 含有该保护涂层的坩埚可用于硅的固化。 涂层具有规定的氧含量，并含有矿物粘合剂和氮化硅或氮氧化硅。

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