发明申请
- 专利标题： SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT
- 专利标题（中）： 半导体存储元件
-
申请号： US12233073申请日： 2008-09-18
-
公开(公告)号： US20090212346A1公开(公告)日： 2009-08-27
- 发明人: Tsunehiro INO , Naoki Yasuda , Koichi Muraoka , Jun Fujiki , Shoko Kikuchi , Keiko Ariyoshi
- 申请人： Tsunehiro INO , Naoki Yasuda , Koichi Muraoka , Jun Fujiki , Shoko Kikuchi , Keiko Ariyoshi
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2008-039952 20080221
- 主分类号： H01L47/00
- IPC分类号： H01L47/00
摘要：
A semiconductor memory element includes: a tunnel insulating film formed on a semiconductor substrate; a HfON charge storage film with Bevan clusters formed on the tunnel insulating film; a blocking film formed on the HfON charge storage film; and a gate electrode formed on the blocking film.
公开/授权文献
- US07943981B2 Semiconductor memory element 公开/授权日：2011-05-17
信息查询
IPC分类:
