GATE STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A GATE STRUCTURE

发明申请

US20090315091A1 GATE STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A GATE STRUCTURE 有权

标题翻译：门结构和具有门结构的半导体器件

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专利标题： GATE STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A GATE STRUCTURE
专利标题（中）： 门结构和具有门结构的半导体器件
申请号： US12483761

申请日： 2009-06-12
公开(公告)号： US20090315091A1

公开(公告)日： 2009-12-24
发明人: Tae-Ho Cha , Seong-Hwee Cheong , Jong-Min Baek , Jae-Hwa Park , Gil-Heyun Choi , Byung-Hee Kim , Byung-Hak Lee , Hee-Sook Park
申请人： Tae-Ho Cha , Seong-Hwee Cheong , Jong-Min Baek , Jae-Hwa Park , Gil-Heyun Choi , Byung-Hee Kim , Byung-Hak Lee , Hee-Sook Park
优先权： KR2008-58959 20080623
主分类号： H01L29/49
IPC分类号： H01L29/49 ; H01L27/10

GATE STRUCTURE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A GATE STRUCTURE

摘要：

A gate structure can include a polysilicon layer, a metal layer on the polysilicon layer, a metal silicide nitride layer on the metal layer and a silicon nitride mask on the metal silicide nitride layer

摘要（中）：

栅极结构可以包括多晶硅层，多晶硅层上的金属层，金属层上的金属硅化物氮化物层和金属硅化物氮化物层上的氮化硅掩模

公开/授权文献

US07989892B2 Gate structure, and semiconductor device having a gate structure 公开/授权日：2011-08-02

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/40	.按其电极特征区分的
H01L29/43	..以形成材料为特征的
H01L29/49	...金属绝缘体半导体电极