发明申请
- 专利标题： TRANSISTOR COMPONENT HAVING AN AMORPHOUS CHANNEL CONTROL LAYER
- 专利标题（中）： 具有非线性通道控制层的晶体管元件
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申请号： US12486461申请日： 2009-06-17
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公开(公告)号： US20100320535A1公开(公告)日： 2010-12-23
- 发明人: Gerhard Schmidt
- 申请人： Gerhard Schmidt
- 申请人地址： AT Villach
- 专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
- 当前专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG
- 当前专利权人地址： AT Villach
- 主分类号： H01L29/772
- IPC分类号： H01L29/772
摘要：
Disclosed is a semiconductor component, including: a drift zone arranged between a first and a second connection zone; a channel control layer of an amorphous semi-insulating material arranged adjacent to the drift zone.
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