发明申请
- 专利标题： METHOD OF FABRICATING INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE THEREOF
- 专利标题（中）： 制造集成半导体器件及其结构的方法
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申请号： US12533055申请日： 2009-07-31
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公开(公告)号： US20110026742A1公开(公告)日： 2011-02-03
- 发明人: Hsueh-I Huang , Ming-Tung Lee , Shuo-Lun Tu
- 申请人： Hsueh-I Huang , Ming-Tung Lee , Shuo-Lun Tu
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
- 当前专利权人： MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 主分类号： H04R11/04
- IPC分类号： H04R11/04 ; H01L21/18
摘要：
A method of fabricating an integrated semiconductor device, comprising: providing a substrate having a first region and a second region; and forming a semiconductor unit on the first region and forming a micro electro mechanical system (MEMS) unit on the second region in one process.
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