SEMICONDUCTOR DEVICE WITH OXIDE DEFINE PATTERN

发明申请

US20110133308A1 SEMICONDUCTOR DEVICE WITH OXIDE DEFINE PATTERN 审中-公开

标题翻译：具有氧化物定义图案的半导体器件

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专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE WITH OXIDE DEFINE PATTERN
专利标题（中）： 具有氧化物定义图案的半导体器件
申请号： US13029066

申请日： 2011-02-16
公开(公告)号： US20110133308A1

公开(公告)日： 2011-06-09
发明人: Kuei-Ti Chan , Tung-Hsing Lee , Augusto Marques , Wen-Chang Lee
申请人： Kuei-Ti Chan , Tung-Hsing Lee , Augusto Marques , Wen-Chang Lee
主分类号： H01L29/86
IPC分类号： H01L29/86

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH OXIDE DEFINE PATTERN

摘要：

A semiconductor device includes a substrate; an inductor wiring pattern overlying the substrate, wherein the inductor wiring pattern is formed in an inductor-forming region; a plurality of shielding patterns between the inductor wiring pattern and the substrate within the inductor-forming region; and at least one first oxide define (OD) pattern disposed in the substrate or between the inductor wiring pattern and the substrate.

摘要（中）：

半导体器件包括衬底; 覆盖所述基板的电感器布线图案，其中所述电感器布线图案形成在电感器形成区域中; 在电感器形成区域内的电感器布线图案和基板之间的多个屏蔽图案; 并且至少一个第一氧化物限定（OD）图案设置在基板中或电感器布线图案和基板之间。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）