发明申请
- 专利标题： ADVANCED CMOS USING SUPER STEEP RETROGRADE WELLS
- 专利标题（中）： 高级CMOS使用超级梯形变压器
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申请号： US13359125申请日： 2012-01-26
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公开(公告)号： US20120164802A1公开(公告)日： 2012-06-28
- 发明人: Jeffrey A. Babcock , Angelo Pinto , Scott Balster , Alfred Haeusler , Gregory E. Howard
- 申请人： Jeffrey A. Babcock , Angelo Pinto , Scott Balster , Alfred Haeusler , Gregory E. Howard
- 申请人地址： US TX Dallas
- 专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 当前专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 当前专利权人地址： US TX Dallas
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/265
摘要：
The present invention is a method for forming super steep doping profiles in MOS transistor structures. The method comprises forming a carbon containing layer (110) beneath the gate dielectric (50) and source and drain regions (80) of a MOS transistor. The carbon containing layer (110) will prevent the diffusion of dopants into the region (40) directly beneath the gate dielectric layer (50).
公开/授权文献
- US08703568B2 Advanced CMOS using super steep retrograde wells 公开/授权日：2014-04-22
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IPC分类:
