发明申请
US20120164820A1 SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED USING A METAL MICROSTRUCTURE CONTROL PROCESS
有权
使用金属微结构控制过程制造的半导体器件
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED USING A METAL MICROSTRUCTURE CONTROL PROCESS
- 专利标题（中）： 使用金属微结构控制过程制造的半导体器件
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申请号： US13404840申请日： 2012-02-24
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公开(公告)号： US20120164820A1公开(公告)日： 2012-06-28
- 发明人: Luigi Colombo , James J. Chambers , Mark R. Visokay
- 申请人： Luigi Colombo , James J. Chambers , Mark R. Visokay
- 申请人地址： US TX Dallas
- 专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 当前专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- 当前专利权人地址： US TX Dallas
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/44
摘要：
The invention provides a method for manufacturing a semiconductor device that comprises placing a metallic gate layer over a gate dielectric layer where the metallic gate layer has a crystallographic orientation, and re-orienting the crystallographic orientation of the metallic gate layer by subjecting the metallic gate layer to a hydrogen anneal.
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