- 专利标题： MODIFIED RESET STATE FOR ENHANCED READ MARGIN OF PHASE CHANGE MEMORY
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申请号： US13512006申请日： 2009-12-18
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公开(公告)号： US20130107618A1公开(公告)日： 2013-05-02
- 发明人: Mattia Boniardi , Andrea Redaelli , Fabio Pellizzer , Daniele Ielmini , Agostino Pirovano
- 申请人： Mattia Boniardi , Andrea Redaelli , Fabio Pellizzer , Daniele Ielmini , Agostino Pirovano
- 申请人地址： US ID Boise
- 专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人： Micron Technology, Inc.
- 当前专利权人地址： US ID Boise
- 国际申请： PCT/IT2009/000572 WO 20091218
- 主分类号： G11C13/00
- IPC分类号： G11C13/00
摘要：
Subject matter disclosed herein relates to techniques involving a structural relaxation (SR) phenomenon for increasing resistance of a Reset state of phase change memory.
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