利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

31 条记录 (耗时 0.014 秒)

    Semiconductor constructions and memory arrays
    6.
    发明授权
    Semiconductor constructions and memory arrays 有权
    半导体结构和存储器阵列

    公开(公告)号：US08803118B2

    公开(公告)日：2014-08-12

    申请号：US13482672

    申请日：2012-05-29

    申请人： Andrea Redaelli ,  Cinzia Perrone

    发明人： Andrea Redaelli ,  Cinzia Perrone

    IPC分类号： H01L47/00

    CPC分类号： H01L45/141 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： Some embodiments include semiconductor constructions having an electrically conductive interconnect with an upper surface, and having an electrically conductive structure over the interconnect. The structure includes a horizontal first portion along the upper surface and a non-horizontal second portion joined to the first portion at a corner. The second portion has an upper edge. The upper edge is offset relative to the upper surface of the interconnect so that the upper edge is not directly over said upper surface. Some embodiments include memory arrays.

    摘要翻译： 一些实施例包括具有与上表面的导电互连并且在互连上具有导电结构的半导体构造。 该结构包括沿着上表面的水平的第一部分和在拐角处连接到第一部分的非水平的第二部分。 第二部分具有上边缘。 上边缘相对于互连的上表面偏移，使得上边缘不直接在所述上表面上方。 一些实施例包括存储器阵列。

    Memory cells having a plurality of heaters
    7.
    发明授权
    Memory cells having a plurality of heaters 有权
    存储单元具有多个加热器

    公开(公告)号：US08637847B2

    公开(公告)日：2014-01-28

    申请号：US13316133

    申请日：2011-12-09

    申请人： Ugo Russo ,  Andrea Redaelli

    发明人： Ugo Russo ,  Andrea Redaelli

    IPC分类号： H01L29/06

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

    摘要： Resistive memory cells having a plurality of heaters and methods of operating and forming the same are described herein. As an example, a resistive memory cell may include a resistance variable material located between a first electrode and a second electrode, a first heater coupled to a first portion of the resistance variable material, a second heater coupled to a second portion of the resistance variable material, a third heater coupled to a third portion of resistance variable material, and a conductive material coupled to the first, second, and third heaters.

    摘要翻译： 这里描述了具有多个加热器的电阻式存储单元及其操作和形成方法。 作为示例，电阻式存储单元可以包括位于第一电极和第二电极之间的电阻可变材料，耦合到电阻可变材料的第一部分的第一加热器，耦合到电阻变量的第二部分的第二加热器 材料，耦合到电阻可变材料的第三部分的第三加热器，以及耦合到第一，第二和第三加热器的导电材料。

    Forming Resistive Random Access Memories Together With Fuse Arrays
    8.
    发明申请
    Forming Resistive Random Access Memories Together With Fuse Arrays 有权
    与保险丝阵列一起形成电阻随机存取存储器

    公开(公告)号：US20120032136A1

    公开(公告)日：2012-02-09

    申请号：US12849864

    申请日：2010-08-04

    申请人： Andrea Redaelli ,  Agostino Pirevano ,  Umberto M. Meotto ,  Giorgio Servalli

    发明人： Andrea Redaelli ,  Agostino Pirevano ,  Umberto M. Meotto ,  Giorgio Servalli

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/82

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L23/5256 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1226 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： A resistive random access memory array may be formed on the same substrate with a fuse array. The random access memory and the fuse array may use the same active material. For example, both the fuse array and the memory array may use a chalcogenide material as the active switching material. The main array may use a pattern of perpendicular sets of trench isolations and the fuse array may only use one set of parallel trench isolations. As a result, the fuse array may have a conductive line extending continuously between adjacent trench isolations. In some embodiments, this continuous line may reduce the resistance of the conductive path through the fuses.

    摘要翻译： 可以在具有熔丝阵列的同一基板上形成电阻随机存取存储器阵列。 随机存取存储器和熔丝阵列可以使用相同的活性材料。 例如，熔丝阵列和存储器阵列都可以使用硫族化物材料作为有源开关材料。 主阵列可以使用垂直组沟槽隔离的图案，并且熔丝阵列可以仅使用一组平行沟槽隔离。 结果，熔丝阵列可以具有在相邻沟槽隔离之间连续延伸的导电线。 在一些实施例中，该连续线可以减小通过保险丝的导电路径的电阻。

    Memory cells having heaters with angled sidewalls
    9.
    发明授权
    Memory cells having heaters with angled sidewalls 有权
    存储单元具有带有倾斜侧壁的加热器

    公开(公告)号：US08962384B2

    公开(公告)日：2015-02-24

    申请号：US13354966

    申请日：2012-01-20

    申请人： Andrea Redaelli ,  Giorgio Servalli ,  Pietro Petruzza ,  Cinzia Perrone

    发明人： Andrea Redaelli ,  Giorgio Servalli ,  Pietro Petruzza ,  Cinzia Perrone

    IPC分类号： H01L21/06 ,  H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/124 ,  H01L27/2463 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/065 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

    摘要： Memory cells having heaters with angled sidewalls and methods of forming the same are described herein. As an example, a method of forming an array of resistive memory cells can include forming a first resistive memory cell having a first heater element angled with respect to a vertical plane, forming a second resistive memory cell adjacent to the first resistive memory cell and having a second heater element angled with respect to the vertical plane and toward the first heater, and forming a third resistive memory cell adjacent to the first resistive memory cell and having a third heater element angled with respect to the vertical plane and away from the first heater element.

    摘要翻译： 具有带有倾斜侧壁的加热器的记忆单元及其形成方法在此描述。 作为示例，形成电阻存储器单元阵列的方法可以包括形成具有相对于垂直平面成角度的第一加热元件的第一电阻式存储单元，形成与第一电阻式存储单元相邻的第二电阻式存储单元，并具有 相对于垂直平面并朝向第一加热器成角度的第二加热器元件，以及形成与第一电阻式存储单元相邻的第三电阻式存储单元，并具有相对于垂直平面成角度且远离第一加热器的第三加热元件 元件。