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公开(公告)号：US20130107618A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：US13512006
申请日：2009-12-18
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2013/0092
摘要： Subject matter disclosed herein relates to techniques involving a structural relaxation (SR) phenomenon for increasing resistance of a Reset state of phase change memory.
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公开(公告)号：US08908414B2
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：US13512006
申请日：2009-12-18
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0097 , G11C2013/009 , G11C2013/0092
摘要： Subject matter disclosed herein relates to techniques involving a structural relaxation (SR) phenomenon for increasing resistance of a Reset state of phase change memory.
摘要翻译： 本文公开的主题涉及涉及用于增加相变存储器的复位状态的电阻的结构松弛（SR）现象的技术。
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3.发明授权Reversing a potential polarity for reading phase-change cells to shorten a recovery delay after programming 有权反转读取相变单元的潜在极性，以缩短编程后的恢复延迟公开(公告)号：US08743598B2
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：US12992062
申请日：2008-07-29
IPC分类号： G11C11/00
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/0073
摘要： A potential supplied to selected cells in a Phase Change Memory (PCM) is reversed in polarity following a program operation to suppress a recovery time and provide device stabilization for a read operation.
摘要翻译： 提供给相变存储器（PCM）中的选定单元的电位在编程操作之后的极性反转，以抑制恢复时间并为读取操作提供器件稳定性。
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4.发明申请REVERSING A POTENTIAL POLARITY FOR READING PHASE-CHANGE CELLS TO SHORTEN A RECOVERY DELAY AFTER PROGRAMMING 有权反转阅读相变细胞的潜在极性，以便在编程后缩短恢复延迟公开(公告)号：US20110141799A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：US12992062
申请日：2008-07-29
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C2013/0073
摘要： A potential supplied to selected cells in a Phase Change Memory (PCM) is reversed in polarity following a program operation to suppress a recovery time and provide device stabilization for a read operation.
摘要翻译： 提供给相变存储器（PCM）中的选定单元的电位在编程操作之后的极性反转，以抑制恢复时间并为读取操作提供器件稳定性。
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公开(公告)号：US20070211534A1
公开(公告)日：2007-09-13
申请号：US11684052
申请日：2007-03-09
CPC分类号： G11C29/50 , G11C16/04 , G11C16/10 , G11C29/50004 , G11C29/50016
摘要： The method for programming/erasing a non volatile memory cell device includes at least one electric stress step to apply, to at least one active oxide layer of at least one memory cell of the device, a stress electric field able to remove at least a part of charges trapped in the active oxide layer. The method may be used for devices with floating gate type memory cells. The electric stress step may include the application, to one or more terminals of at least one memory cell, of potentials able to produce an electric field on a corresponding active oxide layer.
摘要翻译： 用于编程/擦除非易失性存储单元器件的方法包括至少一个电应力步骤，以将至少一个该器件的至少一个存储单元的活性氧化物层应用于能够去除至少一部分的应力电场 的电荷被捕获在活性氧化物层中。 该方法可用于具有浮动栅型存储单元的器件。 电应力步骤可以包括向至少一个存储器单元的一个或多个端子施加能够在相应的活性氧化物层上产生电场的电位。
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