SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING FIN BODIES WITH VARIED EPITAXIAL LAYERS

发明申请

US20160315193A1 SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING FIN BODIES WITH VARIED EPITAXIAL LAYERS 有权

标题翻译：半导体器件，包括具有不同外延层的晶体管

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专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING FIN BODIES WITH VARIED EPITAXIAL LAYERS
专利标题（中）： 半导体器件，包括具有不同外延层的晶体管
申请号： US15138914

申请日： 2016-04-26
公开(公告)号： US20160315193A1

公开(公告)日： 2016-10-27
发明人: DONGWOO KIM , SEUNGHUN LEE , SUNJUNG KIM , HYUNJUNG LEE , BONYOUNG KOO
申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.
优先权： KR10-2015-0059166 20150427
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L29/165 ; H01L29/08 ; H01L29/161

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING FIN BODIES WITH VARIED EPITAXIAL LAYERS

摘要：

A semiconductor device can include a substrate and a fin body that protrudes from a surface of the substrate. The fin body can include a lower portion having a first lattice structure and an upper portion, separated from the lower portion by a boundary, the upper portion having a second lattice structure that is different than the first lattice structure. An epitaxially grown epitxial layer can be on the lower and upper portions.

摘要（中）：

半导体器件可以包括从衬底的表面突出的衬底和鳍体。翅片本体可以包括具有第一格子结构的下部和与下部分开边界的上部，上部具有不同于第一格子结构的第二格子结构。外延生长的外延层可以在下部和上部。

公开/授权文献

US09773908B2 Semiconductor devices including fin bodies with varied epitaxial layers 公开/授权日：2017-09-26

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的