METHODS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

发明申请

US20160351408A1 METHODS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权

标题翻译：制造半导体器件的方法

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专利标题： METHODS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
专利标题（中）： 制造半导体器件的方法
申请号： US15130515

申请日： 2016-04-15
公开(公告)号： US20160351408A1

公开(公告)日： 2016-12-01
发明人: BADRO IM , YOONCHUL CHO , SANGYEOL KANG , DAEHYUN KIM , DONGKAK LEE , JUN-NOH LEE , BONGHYUN KIM , KONGSOO LEE
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
优先权： KR10-2015-0074125 20150527
主分类号： H01L21/308
IPC分类号： H01L21/308 ; H01L21/306 ; H01L21/3065

METHODS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要：

Carbon-containing patterns are formed on an etch target layer, side surfaces of the carbon-containing patterns are treated by a hydrophilic process, poly-crystalline silicon spacers are formed on the side surfaces of the carbon-containing patterns after the hydrophilic process has been performed, and the etch target layer is patterned using the poly-crystalline silicon spacers as an etch mask.

摘要（中）：

在蚀刻目标层上形成含碳图案，通过亲水处理处理含碳图案的侧表面，亲水处理已经在含碳图案的侧表面上形成多晶硅间隔物并且使用多晶硅间隔物作为蚀刻掩模来图案化蚀刻目标层。

公开/授权文献

US09666433B2 Methods for manufacturing a semiconductor device 公开/授权日：2017-05-30

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/308	.......应用掩膜的（H01L21/3063，H01L21/3065优先）