Semiconductor structure fabrication

Invention Grant

US3435516A Semiconductor structure fabrication 失效

Title translation: SEMICONDUCTOR STRUCTURE FABRICATION

Patent Title: Semiconductor structure fabrication
Patent Title (中): SEMICONDUCTOR STRUCTURE FABRICATION
Application No.: US3435516D

Application Date: 1967-01-13
Publication No.: US3435516A

Publication Date: 1969-04-01
Inventor: KILBY JACK S
Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INC
Assignee: Texas Instruments Inc
Current Assignee: Texas Instruments Inc
Priority: US18920562 1962-04-20; US46742865 1965-06-28; US60972067 1967-01-13; US81147059 1959-05-06
Main IPC: H01L23/057
IPC: H01L23/057 ; H01L23/495 ; H01L23/498 ; H01L27/07 ; H03K3/286 ; H01L1/10

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Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/02	.容器；封接（H01L23/12，H01L23/34，H01L23/48，H01L23/552优先）
H01L23/04	..按外形区分的
H01L23/053	...中空容器，并有用于半导体本体安装架的绝缘基座
H01L23/057	....引线平行于基座的