发明授权
- 专利标题： Ion beam implant system
- 专利标题（中）： 离子束植入系统
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申请号： US947914申请日： 1987-03-17
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公开(公告)号： US4855604A公开(公告)日： 1989-08-08
- 发明人: Shantia Riahi
- 申请人： Shantia Riahi
- 申请人地址： PA Allentown
- 专利权人： Air Products and Chemicals, Inc.
- 当前专利权人： Air Products and Chemicals, Inc.
- 当前专利权人地址： PA Allentown
- 主分类号： H01J27/02
- IPC分类号： H01J27/02 ; H01J37/08 ; H01J37/317 ; H01J49/04
摘要：
A charge forming system and apparatus for introducing ion source materials into the ion source vaporizer of an ion implant instrument is disclosed.
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