发明授权
- 专利标题： Read-out circuit for semiconductor nonvolatile memory
- 专利标题（中）： 半导体非易失性存储器的读出电路
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申请号： US633863申请日： 1984-07-24
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公开(公告)号： US4943943A公开(公告)日： 1990-07-24
- 发明人: Yutaka Hayashi , Yoshikazu Kojima , Masaaki Kamiya , Kojiro Tanaka
- 申请人： Yutaka Hayashi , Yoshikazu Kojima , Masaaki Kamiya , Kojiro Tanaka
- 专利权人： Yutaka Hayashi,Yoshikazu Kojima,Masaaki Kamiya,Kojiro Tanaka
- 当前专利权人： Yutaka Hayashi,Yoshikazu Kojima,Masaaki Kamiya,Kojiro Tanaka
- 优先权： JPX58-147105 19830811
- 主分类号： H01L27/112
- IPC分类号： H01L27/112 ; G11C16/04 ; G11C16/26 ; G11C17/00 ; H01L21/8246 ; H01L21/8247 ; H01L27/10 ; H01L29/788 ; H01L29/792 ; H03K19/0944
摘要：
The present invention provides a read-out circuit for a nonvolatile memory which is capable of extracting a widely-fluctuating output voltage, even when the threshold value of the nonvolatile memory changes only a little.
公开/授权文献
- US5816799A Intraoral orthopedic appliance adjustment apparatus 公开/授权日：1998-10-06
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