Method of fabricating a base-coupled transistor logic

发明授权

US5166094A Method of fabricating a base-coupled transistor logic 失效

标题翻译：制造基极耦合晶体管逻辑的方法

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专利标题： Method of fabricating a base-coupled transistor logic
专利标题（中）： 制造基极耦合晶体管逻辑的方法
申请号： US539710

申请日： 1990-06-18
公开(公告)号： US5166094A

公开(公告)日： 1992-11-24
发明人: Ashok K. Kapoor
申请人： Ashok K. Kapoor
申请人地址： CA Mountain View
专利权人： Fairchild Camera & Instrument Corp.
当前专利权人： Fairchild Camera & Instrument Corp.
当前专利权人地址： CA Mountain View
主分类号： H01L21/8222
IPC分类号： H01L21/8222 ; H01L27/07 ; H01L29/47 ; H03K19/084

Method of fabricating a base-coupled transistor logic

摘要：

A base-coupled logic gate is characterized by input Schottky diodes that are directly formed on the base region of the switching transistor for the gate. A logic of this type provides flexible circuit arrangements and savings in required area, while achieving very high speeds. As a result of the savings in area, the buried layer capacitance of the gate is also reduced, which facilitates the high-speed operation of the circuit.

摘要（中）：

基极耦合逻辑门的特征在于直接形成在用于栅极的开关晶体管的基极区上的输入肖特基二极管。这种逻辑提供灵活的电路布置并节省所需的面积，同时实现非常高的速度。由于节省了面积，栅极的埋层电容也减小，这有利于电路的高速运行。

公开/授权文献

US5806351A Lock well for vehicle door 公开/授权日：1998-09-15

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8222	......双极工艺