发明授权
- 专利标题： Semiconductor structure and method for fabricating the same
- 专利标题（中）： 半导体结构及其制造方法
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申请号： US978373申请日： 1992-11-18
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公开(公告)号： US5336929A公开(公告)日： 1994-08-09
- 发明人: Yoshihiro Hayashi
- 申请人： Yoshihiro Hayashi
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： NEC Corporation
- 当前专利权人： NEC Corporation
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX3-302950 19911119
- 主分类号： H01L21/288
- IPC分类号： H01L21/288 ; H01L21/60 ; H01L21/768 ; H01L23/522 ; H01L23/48 ; H01L29/46 ; H01L29/54 ; H01L29/62
摘要：
A semiconductor structure according to the present invention includes a diffusion preventing layer for preventing a diffusion of a brazing metal layer, for instance, Au/In. The structure is interconnected to another structure by brazing.
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