Method and apparatus for high-flatness etching of wafer

发明授权

US5474644A Method and apparatus for high-flatness etching of wafer 失效

标题翻译：晶圆高平面蚀刻的方法和装置

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专利标题： Method and apparatus for high-flatness etching of wafer
专利标题（中）： 晶圆高平面蚀刻的方法和装置
申请号： US278132

申请日： 1994-07-21
公开(公告)号： US5474644A

公开(公告)日： 1995-12-12
发明人: Tadahiro Kato , Hideo Kudo
申请人： Tadahiro Kato , Hideo Kudo
申请人地址： JPX Tokyo
专利权人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
当前专利权人： Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
当前专利权人地址： JPX Tokyo
优先权： JPX5-208961 19930730
主分类号： H01L21/306
IPC分类号： H01L21/306 ; B05C5/00

Method and apparatus for high-flatness etching of wafer

摘要：

A method and an apparatus for high-flatness etching a semiconductor single crystal wafer wherein said wafer is so rotated in a flow of an ethchant radially spreading in a plane that the main surface of said wafer may move parallelly with the flow of said etchant.

摘要（中）：

一种用于高平坦度蚀刻半导体单晶晶片的方法和装置，其中所述晶片以在所述晶片的主表面可以与所述蚀刻剂的流动平行移动的平面中径向扩散的脉冲流旋转。

公开/授权文献

US4900034A Random gambling playing pieces and layout and game table for use with the same 公开/授权日：1990-02-13

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306	......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）