发明授权
- 专利标题： Non-monocrystalline silicon carbide semiconductor and semiconductor device employing the same
- 专利标题（中）： 非单晶碳化硅半导体和采用其的半导体器件
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申请号： US289258申请日： 1994-08-11
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公开(公告)号： US5510631A公开(公告)日： 1996-04-23
- 发明人: Keishi Saito , Tatsuyuki Aoike , Toshimitsu Kariya , Yuzo Koda
- 申请人： Keishi Saito , Tatsuyuki Aoike , Toshimitsu Kariya , Yuzo Koda
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人： Canon Kabushiki Kaisha
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 优先权： JPX3-50133 19910225
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01L29/78 ; H01L29/786 ; H01L31/04 ; H01L31/08 ; H01L31/10 ; H01L31/20 ; H01L31/0312 ; H01L29/76 ; H01L31/06
摘要：
A non-monocrystalline silicon carbide semiconductor comprises carbon atoms, silicon atoms, and at least one of hydrogen atoms and halogen atoms, the non-monocrystalline silicon carbide semiconductor having therein microvoids with an average radius of not more than 3.5 .ANG. at a microvoid density of not more than 1.times.10.sup.19 cm.sup.-3.
公开/授权文献
- US5026386A Flaval separator 公开/授权日：1991-06-25
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