发明授权
- 专利标题： Conductive interconnect structure and method of formation
- 专利标题（中）： 导电互连结构及形成方法
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申请号： US666722申请日： 1996-06-18
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公开(公告)号： US5872385A公开(公告)日： 1999-02-16
- 发明人: Robert C. Taft , Craig D. Gunderson , Arkalgud R. Sitaram
- 申请人： Robert C. Taft , Craig D. Gunderson , Arkalgud R. Sitaram
- 申请人地址： TX Austin
- 专利权人： Motorola Inc.
- 当前专利权人： Motorola Inc.
- 当前专利权人地址： TX Austin
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01L21/28 ; H01L21/3213 ; H01L23/532 ; H01L31/0232
摘要：
In one embodiment, delamination of a patterned silicon nitride anti-reflective layer (26) from an underlying patterned tungsten silicide layer (32), is prevented by forming a thin silicon layer (30) between the patterned tungsten silicide layer (32) and the overlying patterned silicon nitride anti-reflective layer (26).
公开/授权文献
- US5052132A Ballast distributing and planing machine 公开/授权日：1991-10-01
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IPC分类:
