发明授权
- 专利标题： Fabrication method for AlGaIn NPAsSb based devices
- 专利标题（中）： 基于AlGaIn NPAsSb的器件的制造方法
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申请号： US993035申请日： 1997-12-18
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公开(公告)号： US5937274A公开(公告)日： 1999-08-10
- 发明人: Masahiko Kondow , Kazuhisa Uomi , Hitoshi Nakamura
- 申请人： Masahiko Kondow , Kazuhisa Uomi , Hitoshi Nakamura
- 申请人地址： JPX Tokyo
- 专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人： Hitachi, Ltd.
- 当前专利权人地址： JPX Tokyo
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20 ; H01L27/06 ; H01L27/144 ; H01L31/0232 ; H01L31/0304 ; H01L33/00 ; H01L33/30 ; H01S5/02 ; H01S5/323 ; H01S5/343
摘要：
A fabrication process for a semiconductor device including a plurality of semiconductor layers, the plurality of semiconductor layers including at least a nitrogen-containing alloy semiconductor Al.sub.a Ga.sub.b In.sub.1-a-b N.sub.x P.sub.y As.sub.z Sb.sub.1-x-y-z (0.ltoreq.a.ltoreq.1, 0.ltoreq.b.ltoreq.1, 0
公开/授权文献
- US5302603A Heterocyclic cyclic ethers 公开/授权日：1994-04-12
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