发明授权
- 专利标题： Method for producing silicon carbide monocrystals
- 专利标题（中）： 生产碳化硅单晶的方法
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申请号： US13990申请日： 1998-01-27
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公开(公告)号： US5968265A公开(公告)日： 1999-10-19
- 发明人: Rene Stein , Roland Rupp , Johannes Volkl
- 申请人： Rene Stein , Roland Rupp , Johannes Volkl
- 申请人地址： DEX Munich
- 专利权人： Siemens Aktiengesellschaft
- 当前专利权人： Siemens Aktiengesellschaft
- 当前专利权人地址： DEX Munich
- 优先权： DEX19527536 19950727
- 主分类号： C30B29/36
- IPC分类号： C30B29/36 ; C01B31/36 ; C30B7/00 ; C30B7/04 ; C30B7/10
摘要：
A method for producing cubic SiC monocrystals includes dissolving SiC powder or other starting material in a solvent at high overpressures and growing the monocrystals on a seed crystal.
公开/授权文献
- USD358194S Drainage receptacle adapter for storage drums 公开/授权日：1995-05-09
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