发明授权
US6100102A Method of in-line monitoring for shallow pit on semiconductor substrate
失效
在半导体衬底上进行浅凹坑在线监测的方法
- 专利标题： Method of in-line monitoring for shallow pit on semiconductor substrate
- 专利标题（中）： 在半导体衬底上进行浅凹坑在线监测的方法
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申请号： US265840申请日： 1999-03-10
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公开(公告)号： US6100102A公开(公告)日： 2000-08-08
- 发明人: Yang-hyong Kim , Chun-ha Hwang , Hyo-cheon Kang , Deok-yong Kim
- 申请人： Yang-hyong Kim , Chun-ha Hwang , Hyo-cheon Kang , Deok-yong Kim
- 申请人地址： KRX Suwon
- 专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： KRX Suwon
- 优先权： KRX98-17992 19980518
- 主分类号： H01L21/76
- IPC分类号： H01L21/76 ; G01R31/307 ; H01L21/66 ; G01R31/26
摘要：
A method of in-line monitoring for shallow pits formed on a semiconductor substrate using an electron beam. The electron beam is scanned across exposed pads on the semiconductor substrate and relative concentrations of secondary electrodes are examined to identify shallow pits.
公开/授权文献
- US4909419A Percussion tool 公开/授权日：1990-03-20
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