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US06849540B2 METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF PRODUCING A MULTI-CHIP MODULE THAT INCLUDES PATTERNING WITH A PHOTOMASK THAT USES METAL FOR BLOCKING EXPOSURE LIGHT AND A PHOTOMASK THAT USES ORGANIC RESIN FOR BLOCKING EXPOSURE LIGHT
失效
制造半导体集成电路装置的方法以及制造多芯片模块的方法，其包括使用用于阻挡接触光的金属的光电图案，以及使用有机树脂阻挡接触光的照相机
- 专利标题： METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD OF PRODUCING A MULTI-CHIP MODULE THAT INCLUDES PATTERNING WITH A PHOTOMASK THAT USES METAL FOR BLOCKING EXPOSURE LIGHT AND A PHOTOMASK THAT USES ORGANIC RESIN FOR BLOCKING EXPOSURE LIGHT
- 专利标题（中）： 制造半导体集成电路装置的方法以及制造多芯片模块的方法，其包括使用用于阻挡接触光的金属的光电图案，以及使用有机树脂阻挡接触光的照相机
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申请号： US10296495申请日： 2001-08-15
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公开(公告)号： US06849540B2公开(公告)日： 2005-02-01
- 发明人: Tsuneo Terasawa , Toshihiko Tanaka , Ko Miyazaki , Norio Hasegawa , Kazutaka Mori
- 申请人： Tsuneo Terasawa , Toshihiko Tanaka , Ko Miyazaki , Norio Hasegawa , Kazutaka Mori
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： Renesas Technology Corp.
- 当前专利权人： Renesas Technology Corp.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 代理机构： Reed Smith LLP
- 代理商 Stanley P. Fisher, Esq.; Juan Carlos A. Marquez, Esq.
- 优先权： JP2000-246466 20000815
- 国际申请： PCTJP01/07035 WO 20010815
- 国际公布： WO0215242 WO 20020221
- 主分类号： G03F1/54
- IPC分类号： G03F1/54 ; G03F1/56 ; G03F7/20 ; H01L21/768 ; H01L21/027
摘要：
Productivity of a semiconductor integrated circuit device is improved. According to how many times the photomask is used, a photomask having an opaque pattern made of metal and a photomask having an opaque pattern made of a resist film are properly used, and thereby an exposure treatment is performed.
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