发明授权
- 专利标题： Silicon carbide semiconductor device
- 专利标题（中）： 碳化硅半导体器件
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申请号： US10630978申请日： 2003-07-31
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公开(公告)号： US06853006B2公开(公告)日： 2005-02-08
- 发明人: Mitsuhiro Kataoka , Yuuichi Takeuchi , Masami Naito , Rajesh Kumar , Hiroyuki Matsunami , Tsunenobu Kimoto
- 申请人： Mitsuhiro Kataoka , Yuuichi Takeuchi , Masami Naito , Rajesh Kumar , Hiroyuki Matsunami , Tsunenobu Kimoto
- 申请人地址： JP Kariya
- 专利权人： Denso Corporation
- 当前专利权人： Denso Corporation
- 当前专利权人地址： JP Kariya
- 代理机构： Posz & Bethards, PLC
- 优先权： JP2002-233722 20020809
- 主分类号： H01L29/80
- IPC分类号： H01L29/80 ; H01L21/04 ; H01L21/337 ; H01L29/04 ; H01L29/24 ; H01L29/808 ; H01L31/312
摘要：
A silicon carbide (SiC) substrate is provided with an off-oriented {0001} surface whose off-axis direction is . A trench is formed on the SiC to have a stripe structure extending toward a direction. An SiC epitaxial layer is formed on an inside surface of the trench.
公开/授权文献
- US20040051136A1 Silicon carbide semiconductor device 公开/授权日：2004-03-18
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