发明授权
- 专利标题： Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices
- 专利标题（中）： 用于制造微机电装置的牺牲层
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申请号： US10402889申请日： 2003-03-28
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公开(公告)号： US06913942B2公开(公告)日： 2005-07-05
- 发明人: Satyadev R. Patel , Jonathan C. Doan
- 申请人： Satyadev R. Patel , Jonathan C. Doan
- 申请人地址： US CA Sunnyvale
- 专利权人： Reflectvity, Inc
- 当前专利权人： Reflectvity, Inc
- 当前专利权人地址： US CA Sunnyvale
- 代理商 Gregory R. Muir
- 主分类号： B81B
- IPC分类号： B81B20060101 ; B81B3/00 ; H01L21/00
摘要：
A sacrificial layer and a method for applying said sacrificial layer in fabricating microelectromechanical devices are disclosed herein. The sacrificial layer comprises an early transition metal. Specifically, the sacrificial layer comprises an early transition metal element, an early transition metal alloy or an early transition metal silicide.
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