Method for fabricating a semiconductor device

发明授权

US06946351B2 Method for fabricating a semiconductor device 失效

标题翻译：半导体器件的制造方法

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专利标题： Method for fabricating a semiconductor device
专利标题（中）： 半导体器件的制造方法
申请号： US10768090

申请日： 2004-02-02
公开(公告)号： US06946351B2

公开(公告)日： 2005-09-20
发明人: Chikako Yoshida , Hiroshi Minakata , Masaomi Yamaguchi , Shinji Miyagaki , Yasuyuki Tamura
申请人： Chikako Yoshida , Hiroshi Minakata , Masaomi Yamaguchi , Shinji Miyagaki , Yasuyuki Tamura
申请人地址： JP Kawasaki
专利权人： Fujitsu Limited
当前专利权人： Fujitsu Limited
当前专利权人地址： JP Kawasaki
代理机构： Westerman, Hattori, Daniels and Adrian LLP
优先权： JP2003-029372 20030206
主分类号： H01L21/316
IPC分类号： H01L21/316 ; H01L21/28 ; H01L21/3205 ; H01L21/336 ; H01L29/51 ; H01L29/78 ; H01L31/0328 ; H01L31/113

Method for fabricating a semiconductor device

摘要：

The semiconductor device comprises a gate insulating film including a first dielectric film of HfxAl1−xOy (0.7

摘要（中）：

该半导体器件包括栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜包括第一绝缘膜，其具有第一绝缘膜和第二绝缘膜，形成在半导体衬底上，以及与形成在第一电介质膜上的第一电介质膜不同的第二电介质膜; 以及形成在栅极绝缘膜上并包括多晶硅膜的栅电极，从而防止了在形成多晶硅膜的过程中多晶硅膜的局部异常生长，并且栅极漏电流可以大大降低。

公开/授权文献

US20040238841A1 Semiconductor device and method for fabricating the same 公开/授权日：2004-12-02

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层