发明授权
- 专利标题： Strained-semiconductor-on-insulator finFET device structures
- 专利标题（中）： 应变半导体绝缘体finFET器件结构
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申请号： US11211933申请日： 2005-08-25
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公开(公告)号： US07109516B2公开(公告)日： 2006-09-19
- 发明人: Thomas A. Langdo , Matthew T. Currie , Glyn Braithwaite , Richard Hammond , Anthony J. Lochtefeld , Eugene A. Fitzgerald
- 申请人： Thomas A. Langdo , Matthew T. Currie , Glyn Braithwaite , Richard Hammond , Anthony J. Lochtefeld , Eugene A. Fitzgerald
- 申请人地址： US NH Salem
- 专利权人： AmberWave Systems Corporation
- 当前专利权人： AmberWave Systems Corporation
- 当前专利权人地址： US NH Salem
- 代理机构： Goodwin Procter LLP
- 主分类号： H01L31/0328
- IPC分类号： H01L31/0328 ; H01L29/745 ; H01L27/148 ; H01L29/80 ; H01L21/332 ; H01L21/00
摘要：
The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.
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