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发明授权
US07189641B2 Methods of fabricating tungsten contacts with tungsten nitride barrier layers in semiconductor devices, tungsten contacts with tungsten nitride barrier layers 失效
在半导体器件中制造与钨氮化物阻挡层的钨接触的方法，钨与氮化钨阻挡层接触

Methods of fabricating tungsten contacts with tungsten nitride barrier layers in semiconductor devices, tungsten contacts with tungsten nitride barrier layers
摘要：
A method forming a tungsten contact can include forming a contact hole in an interlayer dielectric layer to expose a portion of an underlying silicon based substrate and to form a side wall of the contact hole. A tungsten silicide layer can be formed on at least on the exposed portion of the substrate. A tungsten nitride layer can be conformally formed on a surface of the interlayer dielectric layer, on the tungsten silicide layer and on the side wall. A contact tungsten layer can be formed on the tungsten nitride layer to fill the contact hole. Related apparatus and contacts are also disclosed.
摘要（中）：

形成钨接触的方法可以包括在层间电介质层中形成接触孔以暴露下面的硅基衬底的一部分并形成接触孔的侧壁。 至少在衬底的暴露部分上可以形成硅化钨层。 氮化钨层可以共形地形成在层间电介质层的表面上，硅化钨层和侧壁上。 可以在氮化钨层上形成接触钨层以填充接触孔。 还公开了相关装置和接触。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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