Microelectronic device having disposable spacer

发明授权

US07202172B2 Microelectronic device having disposable spacer 有权

标题翻译：具有一次性隔离物的微电子器件

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专利标题： Microelectronic device having disposable spacer
专利标题（中）： 具有一次性隔离物的微电子器件
申请号： US10728995

申请日： 2003-12-05
公开(公告)号： US07202172B2

公开(公告)日： 2007-04-10
发明人: Bor-Wen Chan , Yu-I Wang , Han-Jan Tao
申请人： Bor-Wen Chan , Yu-I Wang , Han-Jan Tao
申请人地址： TW Hsin-Chu
专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
代理机构： Haynes and Boone, LLP
主分类号： H01L21/311
IPC分类号： H01L21/311

Microelectronic device having disposable spacer

摘要：

A method of manufacturing a microelectronic device comprising forming a patterned feature over a substrate and employing a fluorine-containing plasma source to deposit a conformal polymer layer over the patterned feature and the substrate. The polymer layer is etched to expose the patterned feature and a portion of the substrate, thereby forming polymer spacers on opposing sides of the patterned feature.

摘要（中）：

一种制造微电子器件的方法，包括在衬底上形成图案化特征，并使用含氟等离子体源将图形化特征和衬底上的共形聚合物层沉积。蚀刻聚合物层以暴露图案化特征和基底的一部分，由此在图案化特征的相对侧上形成聚合物间隔物。

公开/授权文献

US20050121750A1 Microelectronic device having disposable spacer 公开/授权日：2005-06-09

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105	......后处理
H01L21/311	.......绝缘层的刻蚀