Strained-semiconductor-on-insulator device structures

发明授权

US07259388B2 Strained-semiconductor-on-insulator device structures 有权

标题翻译：应变半导体绝缘体上器件结构

专利标题： Strained-semiconductor-on-insulator device structures
专利标题（中）： 应变半导体绝缘体上器件结构
申请号： US11120675

申请日： 2005-05-03
公开(公告)号： US07259388B2

公开(公告)日： 2007-08-21
发明人: Thomas A. Langdo , Matthew T. Currie , Richard Hammond , Anthony J. Lochtefeld , Eugene A. Fitzgerald
申请人： Thomas A. Langdo , Matthew T. Currie , Richard Hammond , Anthony J. Lochtefeld , Eugene A. Fitzgerald
申请人地址： US NH Salem
专利权人： AmberWave Systems Corporation
当前专利权人： AmberWave Systems Corporation
当前专利权人地址： US NH Salem
代理机构： Goodwin Procter LLP
主分类号： H01L31/039
IPC分类号： H01L31/039

摘要：

The benefits of strained semiconductors are combined with silicon-on-insulator approaches to substrate and device fabrication.

摘要（中）：

应变半导体的优点与基板和器件制造上的绝缘体绝缘体方法相结合。

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