发明授权
- 专利标题： Irreversible reduction of the value of a polycrystalline silicon resistor
- 专利标题（中）： 多晶硅电阻值的不可逆减少
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申请号： US10504274申请日： 2003-02-11
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公开(公告)号： US07427802B2公开(公告)日： 2008-09-23
- 发明人: Luc Wuidart , Alexandre Malherbe , Michel Bardouillet
- 申请人： Luc Wuidart , Alexandre Malherbe , Michel Bardouillet
- 申请人地址： FR Montrouge
- 专利权人： STMicroelectronics S.A.
- 当前专利权人： STMicroelectronics S.A.
- 当前专利权人地址： FR Montrouge
- 代理机构： Wolf, Greenfield & Sacks, P.C.
- 代理商 Lisa K. Jorgenson; James H. Morris
- 优先权： FR0201635 20020211
- 国际申请： PCT/FR03/00445 WO 20030211
- 国际公布： WO03/069656 WO 20030821
- 主分类号： H01L23/00
- IPC分类号： H01L23/00 ; H01L21/326 ; H01C7/13
摘要：
The invention relates to a method and device for the irreversible reduction of the value of an integrated polycrystalline silicon resistor. The inventive method consists in temporarily subjecting the resistor to a stress current which is greater than a current (Im) for which the value of the resistor is maximum.
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