发明授权
US07432550B2 Semiconductor structure including mixed rare earth oxide formed on silicon
有权
包括在硅上形成的混合稀土氧化物的半导体结构
- 专利标题： Semiconductor structure including mixed rare earth oxide formed on silicon
- 专利标题（中）： 包括在硅上形成的混合稀土氧化物的半导体结构
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申请号： US10998840申请日： 2004-11-30
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公开(公告)号： US07432550B2公开(公告)日： 2008-10-07
- 发明人: Nestor Alexander Bojarczuk, Jr. , Douglas Andrew Buchanan , Supratik Guha , Vijay Narayanan , Lars-Ake Ragnarsson
- 申请人： Nestor Alexander Bojarczuk, Jr. , Douglas Andrew Buchanan , Supratik Guha , Vijay Narayanan , Lars-Ake Ragnarsson
- 申请人地址： US NY Armonk
- 专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人： International Business Machines Corporation
- 当前专利权人地址： US NY Armonk
- 代理机构： McGinn IP Law Group, PLLC
- 代理商 Ido Tuchman, Esq.
- 主分类号： H01L27/01
- IPC分类号： H01L27/01 ; H01L27/12 ; H01L31/0392 ; H01L29/06 ; H01L31/0328
摘要：
A method (and resultant structure) of forming a semiconductor structure, includes forming a mixed rare earth oxide on silicon. The mixed rare earth oxide is lattice-matched to silicon.
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