发明授权
- 专利标题： Seal ring arrangements for immersion lithography systems
- 专利标题（中）： 浸没式光刻系统的密封环布置
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申请号： US11522611申请日： 2006-09-18
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公开(公告)号： US07517639B2公开(公告)日： 2009-04-14
- 发明人: Burn Jeng Lin , Tsai-Sheng Gau , Chun-Kuang Chen , Ru-Gun Liu , Shinn Sheng Yu , Jen Chieh Shih
- 申请人： Burn Jeng Lin , Tsai-Sheng Gau , Chun-Kuang Chen , Ru-Gun Liu , Shinn Sheng Yu , Jen Chieh Shih
- 申请人地址： TW Hsin-Chu
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu
- 代理机构： K & L Gates LLP
- 主分类号： G03B27/52
- IPC分类号： G03B27/52
摘要：
Various seal ring arrangements for an immersion lithography system are disclosed. With the seal ring arrangements, the immersion lithography system can provide better sealing effect for processing the wafers on a wafer chuck.
公开/授权文献
- US20070008508A1 Seal ring arrangements for immersion lithography systems 公开/授权日：2007-01-11
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