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    Device and method for providing wavelength reduction with a photomask
    4.
    发明授权
    Device and method for providing wavelength reduction with a photomask 有权
    用光掩模提供波长缩小的装置和方法

    公开(公告)号：US08563198B2

    公开(公告)日：2013-10-22

    申请号：US13160231

    申请日：2011-06-14

    申请人： Burn Jeng Lin ,  Jeng Horng Chen ,  Chun-Kuang Chen ,  Tsai-Sheng Gau ,  Ru-Gun Liu ,  Jen-Chieh Shih

    发明人： Burn Jeng Lin ,  Jeng Horng Chen ,  Chun-Kuang Chen ,  Tsai-Sheng Gau ,  Ru-Gun Liu ,  Jen-Chieh Shih

    IPC分类号： G03F1/46 ,  G03F1/48

    CPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/46

    摘要： Disclosed is a photomask having a wavelength-reducing material that may be used during photolithographic processing. In one example, the photomask includes a transparent substrate, an absorption layer having at least one opening, and a layer of wavelength-reducing material (WRM) placed into the opening. The thickness of the WRM may range from approximately a thickness of the absorption layer to approximately ten times the wavelength of light used during the photolithographic processing. In another example, the photomask includes at least one antireflection coating (ARC) layer.

    摘要翻译： 公开了一种光掩模，其具有在光刻处理期间可以使用的波长减小材料。 在一个示例中，光掩模包括透明基板，具有至少一个开口的吸收层和放置在开口中的波长减小材料层（WRM）。 WRM的厚度可以在大约从吸收层的厚度到在光刻处理期间使用的光的波长的大约十倍的范围内。 在另一示例中，光掩模包括至少一个抗反射涂层（ARC）层。

    DEVICE AND METHOD FOR PROVIDING WAVELENGTH REDUCTION WITH A PHOTOMASK
    5.
    发明申请
    DEVICE AND METHOD FOR PROVIDING WAVELENGTH REDUCTION WITH A PHOTOMASK 有权
    用光源提供波长减小的装置和方法

    公开(公告)号：US20110244378A1

    公开(公告)日：2011-10-06

    申请号：US13160231

    申请日：2011-06-14

    申请人： Burn Jeng Lin ,  Jeng Horng Chen ,  Chun-Kuang Chen ,  Tsai-Sheng Gau ,  Ru-Gun Liu ,  Jen-Chieh Shih

    发明人： Burn Jeng Lin ,  Jeng Horng Chen ,  Chun-Kuang Chen ,  Tsai-Sheng Gau ,  Ru-Gun Liu ,  Jen-Chieh Shih

    IPC分类号： G03F1/00 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F1/50 ,  G03F1/46

    摘要： Disclosed is a photomask having a wavelength-reducing material that may be used during photolithographic processing. In one example, the photomask includes a transparent substrate, an absorption layer having at least one opening, and a layer of wavelength-reducing material (WRM) placed into the opening. The thickness of the WRM may range from approximately a thickness of the absorption layer to approximately ten times the wavelength of light used during the photolithographic processing. In another example, the photomask includes at least one antireflection coating (ARC) layer.

    摘要翻译： 公开了一种光掩模，其具有在光刻处理期间可以使用的波长减小材料。 在一个示例中，光掩模包括透明基板，具有至少一个开口的吸收层和放置在开口中的波长减小材料层（WRM）。 WRM的厚度可以在大约从吸收层的厚度到在光刻处理期间使用的光的波长的大约十倍的范围内。 在另一示例中，光掩模包括至少一个抗反射涂层（ARC）层。

    Apparatus and method for immersion lithography
    7.
    发明授权
    Apparatus and method for immersion lithography 有权
    浸没式光刻装置及方法

    公开(公告)号：US07091502B2

    公开(公告)日：2006-08-15

    申请号：US10844178

    申请日：2004-05-12

    申请人： Tsai Sheng Gau ,  Chun-Kuang Chen ,  Ru-Gun Liu ,  Burn Jeng Lin

    发明人： Tsai Sheng Gau ,  Chun-Kuang Chen ,  Ru-Gun Liu ,  Burn Jeng Lin

    IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/20

    CPC分类号： G03F7/70341

    摘要： An immersion lithography system for semiconductor manufacturing provides a lens assembly that moves relative to a wafer surface and includes a nozzle and drain assembly that is coupled to, and moves along, the lens assembly. The nozzle and drain assemblies may be disposed circumferentially opposite each other about the lens or an annular ring may be provided that surrounds the lens and includes a plurality of selectable alternating nozzles and drains. The nozzle and drain assemblies may rotatably surround the lens. At least a portion of the wafer being patterned is immersed in a liquid provided by the nozzle assembly and a flow direction is controlled by manipulating the nozzle and drain assemblies. Flow direction may be advantageously directed outwardly to reduce particulate contamination.

    摘要翻译： 用于半导体制造的浸没式光刻系统提供了相对于晶片表面移动的透镜组件，并且包括联接到透镜组件并沿着透镜组件移动的喷嘴和排出组件。 喷嘴和排出组件可以围绕透镜周向地相对设置，或者可以设置围绕透镜的环形环，并且包括多个可选择的交替喷嘴和排水沟。 喷嘴和排出组件可旋转地围绕透镜。 将被图案化的晶片的至少一部分浸入由喷嘴组件提供的液体中，并且通过操纵喷嘴和排出组件来控制流动方向。 可以有利地向外指向流动方向以减少颗粒污染。

    Method for metal correlated via split for double patterning
    8.
    发明授权
    Method for metal correlated via split for double patterning 有权
    用于双重图案化的金属相互分离的方法

    公开(公告)号：US08381139B2

    公开(公告)日：2013-02-19

    申请号：US13006608

    申请日：2011-01-14

    申请人： Burn Jeng Lin ,  Tsai-Sheng Gau ,  Ru-Gun Liu ,  Wen-Chun Huang

    发明人： Burn Jeng Lin ,  Tsai-Sheng Gau ,  Ru-Gun Liu ,  Wen-Chun Huang

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： H01L22/10 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： The embodiments of via mask splitting methods for double patterning technology described enable via patterning to align to a metal layer underneath or overlying to reduce overlay error and to increase via landing. If adjacent vias violate the G0-mask-split-rule for space or pitch (or both) between vias, the mask assignment of end vias are given higher priority to ensure good landing of end vias, since they are at higher risk of mislanding. The metal correlated via mask splitting methods enable better via performance, such as lower via resistance, and higher via yield.

    摘要翻译： 所描述的用于双重图案化技术的通孔掩模分裂方法的实施例使得能够经由图案化以对准下面的金属层或覆盖以减少覆盖误差并增加通过着陆。 如果相邻的通孔违反了通孔之间的空间或间距（或两者）的G0-掩模分割规则，则优先考虑末端通孔的掩模分配，以确保最终通孔的良好着陆，因为它们具有较高的误放置风险。 通过掩模分离方法相关的金属能够实现更好的通过性能，例如较低的通孔电阻和较高的通孔产量。

    Method for metal correlated via split for double patterning
    9.
    发明授权
    Method for metal correlated via split for double patterning 有权
    用于双重图案化的金属相互分离的方法

    公开(公告)号：US08762899B2

    公开(公告)日：2014-06-24

    申请号：US13743087

    申请日：2013-01-16

    申请人： Burn Jeng Lin ,  Tsai-Sheng Gau ,  Ru-Gun Liu ,  Wen-Chun Huang

    发明人： Burn Jeng Lin ,  Tsai-Sheng Gau ,  Ru-Gun Liu ,  Wen-Chun Huang

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： H01L22/10 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70466 ,  G06F17/5036 ,  G06F17/5072 ,  G06F17/5081 ,  H01L21/31144 ,  H01L23/5226 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A method of via patterning mask assignment for a via layer using double patterning technology, the method includes determining, using a processor, if a via of the via layer intercepts an underlying or overlaying metal structure assigned to a first metal mask. If the via intercepts the metal structure assigned to the first metal mask, assigning the via to a first via mask, wherein the first via mask aligns with the first metal mask. Otherwise, assigning the via to a second via mask, wherein the second via mask aligns with a second metal mask different from the first metal mask.

    摘要翻译： 一种通过使用双重图案化技术对通孔层进行图案掩模分配的方法，所述方法包括使用处理器来确定通孔层的通孔是否拦截分配给第一金属掩模的下面或重叠的金属结构。 如果通孔截取分配给第一金属掩模的金属结构，则将通孔分配给第一通孔掩模，其中第一通孔掩模与第一金属掩模对准。 否则，将通孔分配给第二通孔掩模，其中第二通孔掩模与不同于第一金属掩模的第二金属掩模对准。

    Removal of line end shortening in microlithography and mask set for removal
    10.
    发明授权
    Removal of line end shortening in microlithography and mask set for removal 有权
    在微光刻和掩模组中去除线端缩短以进行去除

    公开(公告)号：US06492073B1

    公开(公告)日：2002-12-10

    申请号：US09839926

    申请日：2001-04-23

    申请人： Burn Jeng Lin ,  Ru-Gun Liu ,  Shih-Ying Chen ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hua-Tai Lin ,  Anthony Yen ,  Yao-Ching Ku

    发明人： Burn Jeng Lin ,  Ru-Gun Liu ,  Shih-Ying Chen ,  Shinn-Sheng Yu ,  Hua-Tai Lin ,  Anthony Yen ,  Yao-Ching Ku

    IPC分类号： G03F900

    CPC分类号： G03F1/36 ,  G03F1/70 ,  G03F7/70433 ,  G03F7/70441

    摘要： A mask set of two masks and a method of using these masks in a double exposure to avoid line shortening due to optical proximity effects is described. A pattern having pattern elements comprising a number of line segments, wherein each of the line segments has one or two free ends which are not connected to other mask pattern elements is to be transferred to a layer of resist. A first mask is formed by adding line extensions to each of the free ends of the line segments. A cutting mask is formed comprising rectangles enclosing each of the line extensions wherein one of the sides of said rectangles is coincident with the corresponding free end of said line segment. The first mask has opaque regions corresponding to the extended line segments. The cutting mask has transparent regions corresponding to the cutting pattern. In another embodiment a pattern having pattern openings comprising a number of line segments. In this embodiment the cutting pattern comprises rectangles having the same width as said line segments and add length to the line segments.

    摘要翻译： 描述了两个掩模的掩模组和在双重曝光中使用这些掩模以避免由于光学邻近效应引起的线缩短的方法。 具有包括多个线段的图形元素的图案，其中每个线段具有未连接到其它掩模图案元件的一个或两个自由端将被转移到抗蚀剂层。 通过向线段的每个自由端添加线延伸来形成第一掩模。 形成切割掩模，其包括围绕每个线延伸的矩形，其中所述矩形的一个侧面与所述线段的对应的自由端重合。 第一掩模具有对应于延伸线段的不透明区域。 切割掩模具有对应于切割图案的透明区域。 在另一个实施例中，具有包括多个线段的图案开口的图案。 在该实施例中，切割图案包括具有与所述线段相同宽度的矩形，并且对线段增加长度。